Efeito da Pressão em Supercondutores de Hg-12(n-1)n e Efeito Casimir na Escala Nanométrica.

Neste trabalho será apresentada uma descrição para a dependência da temperatura crítica Tc com a pressão em supercondutores de Hg-12(n-1), que leva em conta o efeito Casimir considerando as camadas condutoras de CuO2 atuando como placas de plasma. A energia de Casimir surge a partir das placas de plasma paralelas (planos de Cu-O) quando estas estão separadas por distâncias na escala nanométrica. A dependência da pressão Tc nos supercondutores de Hg-12(n-1)n pode ser descrita por uma pressão induzida por transferência de carga, juntamente com condições intrínsecas que estão associadas com a energia de Casimir. Para as amostras de Hg-12(n-1)n com teor de oxigênio ideal, o termo de transferência de carga desaparece, deixando apenas uma expressão explícita para o termo intrínseco. Ao escolher os parâmetros realistas e inseri-los na expressão para a dependência da pressão Tc, é encontrada uma boa concordância com dados experimentais do termo intrínseco observadas na família dos supercondutores Hg-12(n-1)n

Parametrizações para a distribuição lateral de elétrons em chuveiros atmosféricos extensos a energias E < = 10 15 eV

Orientador: Jose Augusto ChinellatoDissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb WataghinResumo: Chuveiros atmosféricos extensos (CAE's) iniciados por prótons primários com energia variando de 1.00 x 1013 eV a 2.15 x 1015 eV, injetados em diferentes profundidades da atmosfera, foram simulados. O programa CORSIKA (COsmic Ray SImulations for KAscade), o qual é um detalhado programa de Monte Carlo foi utilizado para simular os CAE's tridimensionais. Os resultados das simulações concentram-se na distribuição lateral de elétrons, tendo-se o intuito de melhorar a reconstrução de eventos observados em experimentos, tais como EASCAMP, do Grupo de Léptons (DRCC), e KASCADE, do Centro de Pesquisa de Karlsruhe, na Alemanha. Uma função de estrutura lateral é proposta para ajustar a densidade de elétrons, de modo a obter uma melhor concordância com dados experimentais, do que a função Nishimura-Kamata-Greisen (NKG), tradicionalmente utilizada. Variação do parâmetro idade, densidade de elétrons e seus correspondentes ajustes são apresentados. Através dos procedimentos de ajuste, obteve-se uma boa concordância entre a função de estrutura proposta e as densidades de elétrons simuladasAbstract: Not informedMestradoFísicaMestre em Físic

Efeitos da ionosfera nas observáveis GPS e no posicionamento por ponto na Região Brasileira : revisão e síntese das investigações realizadas

Em especial na região brasileira e em períodos de alta atividade solar a ionosfera é uma das principais fontes de erro no posicionamento com GPS, afetando principalmente os usuários de receptores de uma freqüência. O erro devido à ionosfera nas observáveis GPS é diretamente proporcional ao TEC (Total Electron Content – Conteúdo Total de Elétrons) presente na trajetória do sinal entre o satélite e a antena receptora. No Brasil estão presentes altos valores de TEC e alta variação temporal e espacial, o que faz com que o estudo de seu comportamento seja de suma importância para o entendimento de seus efeitos no posicionamento. Além disso, é comum no Brasil a ocorrência de irregularidades ionosféricas que afetam o rastreio dos sinais GPS, podendo causar até perdas do sinal. Diversos estudos nessa linha têm sido realizados pelos autores nos últimos anos. Neste capítulo são apresentadas uma revisão sobre os efeitos da ionosfera e uma síntese dos resultados de pesquisas referentes ao estudo do comportamento do TEC na região brasileira e dos efeitos no posicionamento por ponto em um local de forte influência da ionosfera brasileira

Specific heats of degenerate ideal gases

From arguments based on Heisenberg's uncertainty principle and Pauli's exclusion principle, the molar specific heats of degenerate ideal gases at low temperatures are estimated, giving rise to values consistent with the Nerst-Planck Principle (third law of Thermodynamics). The Bose-Einstein condensation phenomenon based on the behavior of specific heat of massive and non-relativistic boson gases is also presented.Comment: 20 pages, in Portuguese, 7 figure

Quantum chemical properties used in structure-activity relationship studies

In this work we show that structure-activity relationship studies are of great importance in modern chemistry and biochemistry. In order to obtain a significant correlation, it is crucial that appropriate descriptors be employed. Thus, quantum chemical calculations are an attractive source of new molecular descriptors which can, in principle, express all the electronic and geometric properties of molecules and their interactions with the biological receptor.CNPqCoordenacao de Aperfeicoamento de Pessoal de Nivel Superior (CAPES)FAPES

Materiais semicondutores alternativos ao silício : passivação do germânio e síntese de dissulfeto de molibdênio

Nas últimas décadas a indústria da microeletrônica evoluiu rapidamente. Atualmente, novos materiais semicondutores têm sido pesquisados para substituir o Si em dispositivos. No presente trabalho, foram estudados o processamento de dois potenciais materiais semicondutores: o germânio (Ge) e o dissulfeto de molibdênio (MoS2). No primeiro estudo, foi investigada a dopagem do óxido de germânio (GeO2). Estudos anteriores sugerem que a dopagem do GeO2 com metais resulta no aumento da estabilidade térmica desses filmes. Dessa forma, filmes de GeHfxOy foram depositados por sputtering sobre germânio. Para investigar o efeito do Hf nos filmes, técnicas de feixe de íons foram utilizadas. A estabilidade térmica dos filmes foi investigada por espectrometria de retroespalhamento Rutherford (RBS), o transporte e incorporação de oxigênio (O) no filme foram investigados através de análises por reações nucleares. Os resultados mostram que a estabilidade térmica dos filmes de GeO2 é aumentada significativamente pela dopagem com 5% de háfnio (Hf). Porém, do ponto de vista da incorporação de O, o Hf não impede o mesmo. Para evitar a oxidação do substrato de Ge é necessário inserir uma camada passivadora de GeOxNy entre a GeHfxOy e o substrato de Ge. Assim, o uso de ambas as estratégias nos filmes dielétricos sobre Ge, é bastante promissor para aplicações em transistores MOS. Com relação ao MoS2, foi investigada a influência de um promotor de crescimento na obtenção desse material através da Deposição Química de Vapores (CVD). Além disso, foi investigado o efeito da temperatura no crescimento das camadas e o efeito da inserção desse material promotor de crescimento na homogeneidade dos filmes. Dados obtidos por Espectroscopia de fotoelétrons excitados por Raio-X (XPS) mostraram que a formação de MoS2 ocorre a partir de 550 °C. Através da espectroscopia Raman e RBS foi possível observar a quantidade de camadas formadas e a quantidade de material depositado. Evidenciando que quanto maior a temperatura do crescimento, maior o número de camadas obtidas.In the last decades, the evolution of microelectronics occurred quickly. Currently, new semiconductor materials have been investigated to replace Si in devices. In the present work, processing and synthesis of two potential semiconductor materials were studied: germanium (Ge) and molybdenum disulfide (MoS2). In the first part of this work, germanium oxide (GeO2) doping was investigated. Previous studies evidenced an increased thermal stability of GeO2 films following metal doping. In this way, GeHfxOy films were deposited by sputtering on germanium. Ion beam techniques were used to analyze the properties of the prepared structures. The thermal stability of the films was investigated by Rutherford backscattering spectrometry (RBS), while the transport and incorporation of oxygen (O) in the film were investigated using nuclear reaction analyses. Results show that doping GeO2 with 5% hafnium (Hf) significantly increases the thermal stability of the films. However, from the point of view of the O incorporation, Hf does not present the same efficiency. To mitigate the semiconductor substrate oxidation it is necessary to insert a GeOxNy passivating layer between GeHfxOy and Ge. The combined use of these passivation strategies is a very promising approach to fabricate oxide/semiconductor structures used in metal-oxide-semiconductor (MOS) transistors. Regarding MoS2, the influence of a growth promoter in obtaining this material through chemical vapor deposition (CVD) was investigated. In addition, the effect of temperature on the growth of the layers and the effect of the insertion of this growth promoter on the homogeneity of the films were investigated. Data obtained by X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) showed that the formation of MoS2 occurs already at 550 ° C. Raman spectroscopy and RBS were used to determine the number of layers formed and the amount of material deposited. Evidencing that the higher the growth temperature, the greater the number of layers obtained

Influência dos parâmetros de preparação de amostras na análise química elementar de minerais por fluorescência de raios X

Dissertação (mestrado) - Universidade Federal de Santa Catarina, Centro Tecnológico. Programa de Pós-graduação em Ciência e Engenharia de MateriaisO presente estudo revela a otimização das variáveis de preparação de amostras para análise química de minerais por espectrometria de fluorescência de raios x. São definidos, por experimentações e avaliações estatísticas, os níveis ótimos de trabalho com os parâmetros principais deste processo: tamanho de partículas, pressão de compactação e percentual de adição de aglutinantes. Verifica-se também, outros problemas paralelos do assunto: oscilação de equipamentos, limites de detecção e contaminações dos materiais e acessórios. O embasamento em estudos anteriores na área, permitiu o direcionamento objetivo dos ensaios. É demonstrado por meio de gráficos, a quantificação da influência específica em cada elemento analisado, para os determinados materiais escolhidos: quartzo, feldspato potássico e calcário dolomítico